Mosfet

Il Power Mosfet IRF8513 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a media corrente, come la commutazione di carichi resistivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,35 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0155 ohm Corrente di collettore (Id): 8 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.