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Power Mosfet TPC8125 SOIC-8

Power Mosfet IRF8513 SO-8

Il Power Mosfet IRF8513 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a media corrente, come la commutazione di carichi resistivi.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): 2,35 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0155 ohm
Corrente di collettore (Id): 8 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

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COD: GRM-IRF8513-N Categorie: Mosfet, Ricambi Tag: IRF8513, Mosfet, Mosfet IRF8513, soic8, Transistor
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Descrizione

MOSFET: il componente elettronico più diffuso

Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.

I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.

I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.

Informazioni aggiuntive
Peso 0,200 kg
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