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Power Mosfet IRF620P TO-220

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Il Power Mosfet IRF620P TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire applicazioni di potenza.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di rottura drain-source (Vds): 200V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 5,2A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 2,5V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175°C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

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COD: GRM-IRF620P-N Categorie: Mosfet, Ricambi Tag: IRF620P, Mosfet, Mosfet IRF620P, Power Mosfet, Transistor
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Descrizione

MOSFET: il componente elettronico più diffuso

Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.

I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.

I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.

Informazioni aggiuntive
Peso 0,200 kg
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L'LM2904 è un comparatore a soglia. Quando la tensione sull'ingresso positivo del comparatore è maggiore della tensione sull'ingresso negativo, l'uscita del comparatore è alta. Quando la tensione sull'ingresso negativo del comparatore è maggiore della tensione sull'ingresso positivo, l'uscita del comparatore è bassa.

Specifiche tecniche dell'LM2904

  • Tensione di alimentazione: 3,3 V
  • Tensione di soglia: 1,5 V
  • Velocità di commutazione: 10 MHz
  • Temperatura di esercizio: -40 °C ~ 85 °C

--  Rispetto al TLC393QDR

L'LM2904 è un comparatore analogico duale simile al TLC393QDR. Entrambi i dispositivi sono a basso consumo e possono operare a frequenze elevate. Tuttavia, l'LM2904 ha una tensione di soglia più bassa del TLC393QDR, il che lo rende adatto per la misurazione di segnali a bassa tensione.

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Ecco alcune specifiche tecniche dell'EEPROM 24C04:

  • Capacità: 4 KB
  • Tipo: EEPROM seriale
  • Interfaccia: I2C
  • Temperatura di esercizio: -40 °C - 85 °C
  • Tempo di programmazione: 5 ms
  • Tempo di lettura: 100 ns
  • Tensione di alimentazione: 1,7 V - 5,5 V

Il 24C04 è un componente molto comune e ampiamente utilizzato, e può essere trovato in una vasta gamma di prodotti elettronici, come schede madri per computer, dispositivi portatili, e sistemi di controllo industriale.

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Specifiche tecniche

  • Tensione di alimentazione: 2,7 V - 36 V
  • Ingresso massimo: ±18 V
  • Guadagno di tensione: 100 V/V
  • Temperatura di esercizio: -40 °C ~ 85 °C
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