soic8

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Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

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Power Mosfet IRF8513 SO-8

Il Power Mosfet IRF8513 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a media corrente, come la commutazione di carichi resistivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,35 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0155 ohm Corrente di collettore (Id): 8 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet IRF9910 SO-8

Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet TPC8125 SOIC-8

Il Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo P (richiede una tensione negativa per essere attivato). Questo MOSFET è adatto per applicazioni a bassa tensione, come l'amplificazione e la commutazione di segnali. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): -2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.