Transistor

Il BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,06 ohm Corrente di collettore (Id): 75 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 55 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

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Mosfet IRF2804L TO-262

Mosfet

6,90 €

Il IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 - 3 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,1 ohm Corrente di collettore (Id): 82 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 75 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

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Power mosfet 2SK3069 TO-220

Mosfet

8,90 €

Il Power Mosfet 2SK3069 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

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Power Mosfet FDS8858CZ SO-8

Mosfet

2,60 €

Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

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Power Mosfet IR2301SPBF SO-8

Mosfet

Il IR2301SPBF SO-8 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui è necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 4,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,008 ohm Corrente di collettore (Id): 100 A Vds: 60 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.

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