Il Power Mosfet IRF644 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire applicazioni di potenza da medie a elevate.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 4V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,22 ohm
Corrente di collettore (Id): 14A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 250 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150°C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
MOSFET: il componente elettronico più diffuso
[titolo] - Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.
Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.
I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.
I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.
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