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Transistor BU124E TO-220

8,90 
Il componente BU124E TO-220 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di

Transistor BUK7610 TO-252

3,80 
Il componente BUK7610 TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di

Transistor F2807ZS TO-252

3,30 
Il componente F2807ZS TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di

Transistor IPB80N04S TO-252

2,70 
Il componente IPB80N04S TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione

Transistor IPB90N04S4 TO-252

3,10 
Il componente IPB90N04S4 TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione

Transistor IRFBC30AS TO-252

3,80 
Il componente IRFBC30AS TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di

Transistor ISL9V2040S3ST TO-252

8,20 
Il componente ISL9V2040S3ST TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Le specifiche tecniche del transistor ISL9V2040S3ST TO-252 sono le seguenti: Tipo: BJT NPN Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 40V Corrente di collettore (IC): 20A Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 200 Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V Temperatura massima di esercizio: 150 °C

Transistor ISL9V2540S TO-252

3,80 
Il componente ISL9V2540S TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di

Transistor ISL9V5036S TO-252

3,10 
Il componente ISL9V5036S TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di