MOSFET de potencia IRF9910 SO-8
El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia IRF9Z34N TO-220
MOSFET de potencia IRL2203N TO-220
MOSFET de potencia IRL2505PBF TO-220
MOSFET de potencia de canal N IRL2203NS TO-263
El IRL2203NS TO-263 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios
Corriente de colector (Id): 116 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas.
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia RFP70N06 TO-220
MOSFET de potencia STP75NS04Z TO-220
MOSFET de potencia STS4NF100 SO-8
El Mosfet de potencia STS4NF100 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N y tiene una corriente de colector más baja de 100 A, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de corriente media. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios
Corriente de colector (Id): 100 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8
El Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo P (requiere un voltaje negativo para activarse). Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificación y conmutación de señales. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): -2,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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