Mosfet de puissance IRF9910 SO-8
Le Mosfet de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé et à haute puissance, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,55 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0134 ohm
Courant collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance IRF9Z34N TO-220
Mosfet de puissance IRL2203N TO-220
Mosfet de puissance IRL2505PBF TO-220
MOSFET de puissance canal N IRL2203NS TO-263
Le IRL2203NS TO-263 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,5 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm
Courant collecteur (Id) : 116 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives.
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance P60ZB TO-220
Mosfet de puissance RFP70N06 TO-220
Mosfet de puissance STP75NS04Z TO-220
Mosfet de puissance STP80N6F6 TO-220
Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8
Le Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N et possède un courant de collecteur inférieur de 100 A, ce qui le rend plus adapté aux applications à courant moyen. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,5 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm
Courant collecteur (Id) : 100 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance TPC8125 SOIC-8
Le Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessite une tension négative pour être activé). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : -2,5 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm
Courant collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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