Tranzystor MOSFET IRF820APBF TO-220

Il Power Mosfet IRF820APBF TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire applicazioni di potenza bassa.

Jego główne parametry techniczne to:

Napięcie nasycenia (Vth): 4,5V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 3 oh
Prąd kolektora (Id): 2,5A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 2,5 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175°C

Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.

MOSFET: najpopularniejszy element elektroniczny

Tranzystor MOSFET IRF820APBF TO-220 - MOSFET, skrót od Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (tranzystor polowy z półprzewodnikiem i tlenkiem metalu), to unipolarny element elektroniczny regulujący przepływ prądu w obwodzie. Jest to najpowszechniej stosowany element elektroniczny na świecie, stosowany w szerokiej gamie urządzeń, od układów scalonych po urządzenia mobilne.

Istnieją dwa główne typy tranzystorów MOSFET: Tranzystor MOSFET zubożony:Kanał przewodzenia jest obecny nawet przy braku napięcia na bramce. Po przyłożeniu napięcia do bramki kanał zwęża się, zmniejszając przepływ prądu. MOSFET wzmacniający:Kanał przewodzenia nie istnieje, gdy na bramce nie ma napięcia. Po przyłożeniu napięcia do bramki powstaje kanał, umożliwiający przepływ prądu.

Tranzystory MOSFET są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, w tym: Cyfrowe układy scalone takie jak bramki AND, OR i NOT, Układy scalone analogowe, Urządzenia zasilające do sterowania zasilaniem urządzeń dużej mocy, takich jak silniki i transformatory, urządzenia mobilne stosowany w obwodach zasilania i komunikacji urządzeń mobilnych, takich jak smartfony i tablety.

Tranzystory MOSFET to niezbędne elementy elektroniczne, które przyczyniły się do rozwoju szerokiej gamy urządzeń. Oferują szereg zalet, w tym: Wysoka wydajność, Wysoka prędkość, Mały rozmiar. Zalety te sprawiają, że tranzystory MOSFET stały się najpowszechniej stosowanymi podzespołami elektronicznymi na świecie.