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Il componente BTS2140-1B è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor BTS2140-1B sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 600 V
Corrente di collettore (IC): 100 A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 100
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C
Transistor BTS2140-1B - Il transistor è un componente elettronico composto da tre terminali (tripolo) detti base, collettore ed emettitore.
Questo può essere utilizzato come un interruttore o come un amplificatore.
- Come interruttore, il transistor permette o impedisce il passaggio della corrente in un circuito.
- Come amplificatore, il transistor aumenta la potenza di un segnale elettrico.
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