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Power mosfet IRF3710Z TO-220
Power mosfet IRF3710Z TO-220 3,15 €
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Power mosfet 2SK3069 TO-220
Power mosfet 2SK3069 TO-220 8,90 €

Power mosfet IRF1324PBF TO-220

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Il Power Mosfet IRF1324PBF TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire applicazioni di potenza elevata.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): 2,5V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0012 ohm
Corrente di collettore (Id): 353A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 2,5V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175°C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

MOSFET: il componente elettronico più diffuso

Power mosfet IRF1324PBF TO-220 - Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.

I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.

I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.
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Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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