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Power Mosfet IR2301SPBF SO-8
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Power Mosfet IRF8513 SO-8

Power Mosfet STS4NF100 SO-8

Il Power Mosfet STS4NF100 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N e ha una corrente di collettore inferiore di 100A,  questo lo rende più adatto per applicazioni a corrente media.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 100 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

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COD: GRM-STS4NF100-N Categorie: Mosfet, Ricambi Tag: Mosfet, Mosfet STS4NF100, STS4NF100, Transistor
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Descrizione

MOSFET: il componente elettronico più diffuso

Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.

I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.

I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.

Informazioni aggiuntive
Peso 0,200 kg
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Ecco alcune specifiche tecniche dell'EEPROM 25320AN:

  • Capacità: 32 KB
  • Tipo: EEPROM seriale
  • Interfaccia: SPI
  • Temperatura di esercizio: -40 °C - 85 °C
  • Tempo di programmazione: 10 ms
  • Tempo di lettura: 100 ns
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L'LM2904 è un comparatore a soglia. Quando la tensione sull'ingresso positivo del comparatore è maggiore della tensione sull'ingresso negativo, l'uscita del comparatore è alta. Quando la tensione sull'ingresso negativo del comparatore è maggiore della tensione sull'ingresso positivo, l'uscita del comparatore è bassa.

Specifiche tecniche dell'LM2904

  • Tensione di alimentazione: 3,3 V
  • Tensione di soglia: 1,5 V
  • Velocità di commutazione: 10 MHz
  • Temperatura di esercizio: -40 °C ~ 85 °C

--  Rispetto al TLC393QDR

L'LM2904 è un comparatore analogico duale simile al TLC393QDR. Entrambi i dispositivi sono a basso consumo e possono operare a frequenze elevate. Tuttavia, l'LM2904 ha una tensione di soglia più bassa del TLC393QDR, il che lo rende adatto per la misurazione di segnali a bassa tensione.

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L'IR2153 è un circuito integrato (IC) che può essere utilizzato per controllare il funzionamento di due MOSFET ad alta tensione. L'IC ha un oscillatore interno che genera un segnale di commutazione che viene utilizzato per accendere e spegnere i MOSFET. Può gestire MOSFET ad alta tensione fino a 600V, ha un oscillatore interno che elimina la necessità di utilizzare un oscillatore esterno, richiede una circuitazione minima per funzionare, rendendolo un'opzione ideale per applicazioni con spazio limitato.

Le specifiche tecniche dell'IR2153 includono:

  • Tensione di alimentazione: 12 V - 30 V
  • Tensione di uscita: 0 - 600 V
  • Corrente di uscita: 2,5 A
  • Frequenza di commutazione: 50 kHz - 1 MHz
  • Temperatura di esercizio: -40 °C ~ 85 °C
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Quando il segnale applicato all'ingresso di segnale è maggiore del segnale applicato all'ingresso di riferimento, l'LM311D genera un'uscita alta. Quando il segnale applicato all'ingresso di segnale è inferiore al segnale applicato all'ingresso di riferimento, l'LM311D genera un'uscita bassa.

Ecco alcune specifiche tecniche dell'LM311D:

  • Tensione di alimentazione: 3,3 V - 30 V
  • Tensione di dropout: 1,2 V
  • Corrente di uscita: 10 mA
  • Tempo di salita: 20 ns
  • Tempo di discesa: 20 ns
  • Guadagno: 100 V/V
  • Sensibilità di ingresso: 10 mV

L'LM311D è un componente relativamente economico e facile da usare. È un'ottima scelta per applicazioni che richiedono un comparatore analogico a basso consumo.

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