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Mosfet BUK9E06 TO-262
Il BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,06 ohm
Corrente di collettore (Id): 75 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 55 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Mosfet IRF2804L TO-262
Il IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,5 - 3 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,1 ohm
Corrente di collettore (Id): 82 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 75 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet FDS8858CZ SO-8
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 10 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet IR2301SPBF SO-8
Il IR2301SPBF SO-8 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui è necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 4,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,008 ohm
Corrente di collettore (Id): 100 A
Vds: 60 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
