Power Mosfet STS4NF100 SO-8

Il Power Mosfet STS4NF100 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N e ha una corrente di collettore inferiore di 100A,  questo lo rende più adatto per applicazioni a corrente media.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 100 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet TPC8125 SOIC-8

Il Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo P (richiede una tensione negativa per essere attivato). Questo MOSFET è adatto per applicazioni a bassa tensione, come l’amplificazione e la commutazione di segnali.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): -2,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 10 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.