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Power Mosfet IRF8513 SO-8
Accedi per vedere i prezziIl Power Mosfet IRF8513 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a media corrente, come la commutazione di carichi resistivi.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,35 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0155 ohm
Corrente di collettore (Id): 8 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet IRF9910 SO-8
Accedi per vedere i prezziIl Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm
Corrente di collettore (Id): 10 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
