Il IR2301SPBF SO-8 รจ un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui รจ necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 4,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,008 ohm
Corrente di collettore (Id): 100 A
Vds: 60 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 ยฐC
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.