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Spettacolo 9 12 18 24

Transistor BU124E TO-220

8,90 โ‚ฌ
Il componente BU124E TO-220 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor BUK7610 TO-252

3,80 โ‚ฌ
Il componente BUK7610 TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor F2807ZS TO-252

3,30 โ‚ฌ
Il componente F2807ZS TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor IPB80N04S TO-252

2,70 โ‚ฌ
Il componente IPB80N04S TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione
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Transistor IPB90N04S4 TO-252

3,10 โ‚ฌ
Il componente IPB90N04S4 TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione
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Transistor IRFBC30AS TO-252

3,80 โ‚ฌ
Il componente IRFBC30AS TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor ISL9V2040S3ST TO-252

8,20 โ‚ฌ
Il componente ISL9V2040S3ST TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Le specifiche tecniche del transistor ISL9V2040S3ST TO-252 sono le seguenti: Tipo: BJT NPN Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 40V Corrente di collettore (IC): 20A Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 200 Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V Temperatura massima di esercizio: 150 ยฐC
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Transistor ISL9V2540S TO-252

3,80 โ‚ฌ
Il componente ISL9V2540S TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor ISL9V5036S TO-252

3,10 โ‚ฌ
Il componente ISL9V5036S TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor MBRF2545CTG TO-252

4,80 โ‚ฌ
Il componente MBRF2545CTG TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di
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Transistor PB80N04S TO-252

2,70 โ‚ฌ
Il componente PB80N04S TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione
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Transistor SPB80N04S2 TO-252

4,00 โ‚ฌ
Il componente SPB80N04S2 TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione
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