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Power Mosfet IRL2505PBF TO-220

4,30 โ‚ฌ
Il Power Mosfet IRL2505PBF TO-220 รจ un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di tipo N, progettato per applicazioni
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Power Mosfet N-Channel IRL2203NS TO-263

6,70 โ‚ฌ
Il IRL2203NS TO-263 รจ un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 116 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 ยฐC Questo MOSFET รจ adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Power Mosfet P60ZB TO-220

3,90 โ‚ฌ
Il Power Mosfet P60ZB TO-220 รจ un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet RFP70N06 TO-220

4,30 โ‚ฌ
Il Power Mosfet RFP70N06 TO-220 รˆ un transistor a effetto di campo a conduzione laterale (LDMOS) con unโ€™area di gate
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Power Mosfet STP75NS04Z TO-220

7,80 โ‚ฌ
Il Power Mosfet STP75NS04Z TO-220 รจ un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet STP80N6F6 TO-220

4,90 โ‚ฌ
Il Power Mosfet RFP70N06 TO-220 รˆ un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet STS4NF100 SO-8

Il Power Mosfet STS4NF100 SO-8 รจ un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N e ha una corrente di collettore inferiore di 100A,  questo lo rende piรน adatto per applicazioni a corrente media. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 100 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 ยฐC Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Power Mosfet TPC8125 SOIC-8

Il Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 รจ un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo P (richiede una tensione negativa per essere attivato). Questo MOSFET รจ adatto per applicazioni a bassa tensione, come l'amplificazione e la commutazione di segnali. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): -2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 ยฐC Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Power Mosfet VNP10N07 TO-220

4,80 โ‚ฌ
Il Power Mosfet VNP10N07 TO-220 รจ un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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