Transistor STB80NF03L TO-252
COD:
GRM-STB80NF03L-N
Categoria: Transistor
Tag: Bipolar Junction Transistor, PB80N04S, PB80N04S TO-252, Transistor PB80N04S TO-252
Descrizione
Il componente STB80NF03L TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor STB80NF03L TO-252 sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 80V
Corrente di collettore (IC): 40A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 100
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C
Transistor STB80NF03L TO-252 - Il transistor è un componente elettronico composto da tre terminali (tripolo) detti base, collettore ed emettitore.
Questo può essere utilizzato come un interruttore o come un amplificatore.
- Come interruttore, il transistor permette o impedisce il passaggio della corrente in un circuito.
- Come amplificatore, il transistor aumenta la potenza di un segnale elettrico.
Recensioni (0)
Recensisci per primo “Transistor STB80NF03L TO-252” Annulla risposta
Devi effettuare l’accesso per pubblicare una recensione.
Shipping & Delivery
Prodotti correlati
Transistor 5401DM TO-252
Transistor 5503DM TO-252
Transistor BU124E TO-220
Transistor ISL9V2040S3ST TO-252
Il componente ISL9V2040S3ST TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor ISL9V2040S3ST TO-252 sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 40V
Corrente di collettore (IC): 20A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 200
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C



Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.