Italiano 
English (UK) 
Descrizione
Il componente BTS2140-1B è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor BTS2140-1B sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 600 V
Corrente di collettore (IC): 100 A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 100
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C
Transistor BTS2140-1B - Il transistor è un componente elettronico composto da tre terminali (tripolo) detti base, collettore ed emettitore.
Questo può essere utilizzato come un interruttore o come un amplificatore.
- Come interruttore, il transistor permette o impedisce il passaggio della corrente in un circuito.
- Come amplificatore, il transistor aumenta la potenza di un segnale elettrico.
Recensioni (0)
Devi effettuare l’accesso per pubblicare una recensione.
Shipping & Delivery
Prodotti correlati
Transistor ISL9V2040S3ST TO-252
Il componente ISL9V2040S3ST TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor ISL9V2040S3ST TO-252 sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 40V
Corrente di collettore (IC): 20A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 200
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C
Recensioni
Ancora non ci sono recensioni.