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Il componente 5503DM TO-252 รจ un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor 5503DM TO-252 sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 60V
Corrente di collettore (IC): 50A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 100
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 ยฐC
Transistor 5503DM TO-252 - Il transistor รจ un componente elettronico composto da tre terminali (tripolo) detti base, collettore ed emettitore.
Questo puรฒ essere utilizzato come un interruttore o come un amplificatore.
- Come interruttore, il transistor permette o impedisce il passaggio della corrente in un circuito.
- Come amplificatore, il transistor aumenta la potenza di un segnale elettrico.
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