Mosfet IRF2804L TO-262
Il IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,5 – 3 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,1 ohm
Corrente di collettore (Id): 82 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 75 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Descrizione
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Informazioni aggiuntive
| Peso | 0,200 kg |
|---|
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Il BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,06 ohm
Corrente di collettore (Id): 75 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 55 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet FDS8858CZ SO-8
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 10 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet IRF9910 SO-8
Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm
Corrente di collettore (Id): 10 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
Power Mosfet N-Channel IRL2203NS TO-263
Il IRL2203NS TO-263 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm
Corrente di collettore (Id): 116 A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente sul sito ufficiale del produttore.
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