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MOSFET de puissance canal N IRL2203NS TO-263

6,70 
Le IRL2203NS TO-263 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 116 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

Mosfet de puissance P60ZB TO-220

3,90 
Le Power Mosfet P60ZB TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance RFP70N06 TO-220

4,30 
Le Power Mosfet RFP70N06 TO-220 est un transistor à effet de champ à conduction latérale (LDMOS) avec une zone de grille

Mosfet de puissance STP75NS04Z TO-220

7,80 
Le Mosfet de puissance STP75NS04Z TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance STP80N6F6 TO-220

4,90 
Le Power Mosfet RFP70N06 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8

Le Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N et possède un courant de collecteur inférieur de 100 A, ce qui le rend plus adapté aux applications à courant moyen. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

Mosfet de puissance TPC8125 SOIC-8

Le Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessite une tension négative pour être activé). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : -2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

Mosfet de puissance VNP10N07 TO-220

4,80 
Le Power Mosfet VNP10N07 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Régulateur de tension 9L05A SOIC-8

4,90 
Le composant 9L05A est un régulateur de tension à faible chute de tension (LDO) qui fournit une tension de sortie fixe de

Régulateur de tension SOP-24 A8450KLBT

6,70 
Le composant A8450KLBT est un régulateur de tension linéaire positif qui fournit une tension de sortie réglable de 1,2 V.

Régulateur de tension BM2569 SOIC-8

4,90 
Le BM2569 est un régulateur de tension à faible chute de tension (LDO) avec une chute de tension de seulement 100 mV à 100 mA.

Régulateur de tension ICL7660 SOIC-8

4,90 
Le LD1086 est un régulateur de commutation qui fournit une sortie de tension régulée à partir d'une alimentation.