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Mosfet IRF3710STRL TO-252

4,30 
Le IRF3710STRL TO-252 Il s'agit d'un MOSFET de puissance hautes performances, adapté aux applications où un courant élevé et un rendement élevé sont requis. Les spécifications de l'IRF3710STRL TO-252 sont les suivantes : Taper: MOSFET à canal N Tension de seuil : 2,5 V Courant de drain continu : 100A

Moteur de frein de stationnement Renault Scenic et Koleos

69,00 
Moteur de frein de stationnement Renault Scenic II, Grand Scenic II, Espace et Koleos. Codes compatibles : 8200316575, 484340810, 285F21523R, A2C31099000, 32620254,

Joint d'étanchéité NBR 8x16x5

8,90 
Joint d'huile NBR avec les dimensions suivantes : Diamètre intérieur = 8 mm Diamètre extérieur = 16 mm Épaisseur = 5 mm Généralement utilisé pour

Pompe d'actionneur d'embrayage Bosch / LUK

69,90 
Pompe d'actionneur d'embrayage Bosch / LUK Compatible avec les actionneurs d'embrayage Ford, Mercedes et Easytronic Opel Durashift. Codes compatibles : 2NR17M168BEL905D,0132900007,0001, 2N1R7M168BFL905D,

MOSFET de puissance 2SK3069 TO-220

8,90 
Le Power Mosfet 2SK3069 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance FDS8858CZ SO-8

2,60 
Le pouvoir MOSFET SO-8 FDS8858CZ Il s'agit d'un double MOSFET, ce qui signifie qu'il possède deux canaux, un N et un P. Cela le rend adapté aux applications qui nécessitent la commutation de deux charges indépendantes. Par exemple, il peut être utilisé pour contrôler deux moteurs ou deux LED. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 1,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

Mosfet de puissance IR2301SPBF SO-8

Le IR2301SPBF SO-8 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ conducteur de type N avec pilote intégré. Le pilote intégré permet de contrôler le MOSFET par un signal logique basse tension. Cela le rend particulièrement adapté aux applications où un MOSFET doit être contrôlé par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 4,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,008 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Vds: 60 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

MOSFET de puissance IRF1324PBF TO-220

5,80 
Le Mosfet de puissance IRF1324PBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3205 TO-220

2,95 
Le Power Mosfet IRF3205 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3710Z TO-220

3,15 
Le Mosfet de puissance IRF3710Z TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF530N TO-220

2,30 
Le Power Mosfet IRF530N TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de