MOSFET de puissance IR2301SPBF SO-8
Connectez-vous pour voir les prixLe IR2301SPBF SO-8 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ de type N conducteur avec circuit de commande intégré. Ce circuit permet de piloter le MOSFET à l'aide d'un signal logique basse tension. De ce fait, il est particulièrement adapté aux applications nécessitant le pilotage d'un MOSFET par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique.
Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 4,5 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,008 ohms
Courant du collecteur (Id) : 100 A
Vds : 60 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.