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Transistor Darlington BDX33C TO-220

2,30 €
Transistor Darlington BDX33C Boîtier NPN TO-220 Courant de collecteur 12 A Courant de crête du collecteur 15 A Tension d'émetteur du collecteur 100 V
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Transistor Darlington BDX54C TO-220

4,30 €
Transistor Darlington BDX54C PNP, boîtier TO-220, courant de collecteur 8 A, courant de crête du collecteur 12 A, tension de l'émetteur du collecteur 100 V
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Transistor Darlington BDW93CF TO-220F

4,30 €
Transistor Darlington BDW93CF TO-220F Boîtier TO-220F Courant de collecteur 12 A Courant de crête du collecteur 15 A Tension d'émetteur du collecteur 100 V
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Transistor Darlington BDW94C TO-220

3,90 €
Transistor Darlington BDW94C PNP Boîtier TO-220 Courant de collecteur 12 A Courant de crête du collecteur 15 A Tension d'émetteur du collecteur 100 V
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Module d'alimentation MOSFET Fiat Scudo

55,00 €
Module de puissance MOSFET pour pompe de direction électrique installé sur les voitures suivantes : – Citroën C8, Dispatch, Jumpy ; – Fiat Scudo,
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Mosfet BUK9E06 TO-262

5,60 €
Le BUK9E06 TO-262 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,06 ohm Courant collecteur (Id) : 75 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 55 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 €
Le IRF2804L TO-262 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 - 3 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,1 ohm Courant collecteur (Id) : 82 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 75 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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MOSFET de puissance 2SK3069 TO-220

8,90 €
Le Power Mosfet 2SK3069 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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Mosfet de puissance FDS8858CZ SO-8

2,60 €
Le pouvoir MOSFET SO-8 FDS8858CZ Il s'agit d'un double MOSFET, ce qui signifie qu'il possède deux canaux, un N et un P. Cela le rend adapté aux applications qui nécessitent la commutation de deux charges indépendantes. Par exemple, il peut être utilisé pour contrôler deux moteurs ou deux LED. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 1,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance IR2301SPBF SO-8

Le IR2301SPBF SO-8 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ conducteur de type N avec pilote intégré. Le pilote intégré permet de contrôler le MOSFET par un signal logique basse tension. Cela le rend particulièrement adapté aux applications où un MOSFET doit être contrôlé par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 4,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,008 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Vds: 60 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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MOSFET de puissance IRF1324PBF TO-220

5,80 €
Le Mosfet de puissance IRF1324PBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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MOSFET de puissance IRF3205 TO-220

2,95 €
Le Power Mosfet IRF3205 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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