MOSFET de potencia IRF8513 SO-8

El MOSFET de potencia IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo conductor de tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas.

Sus principales especificaciones son:

Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios
Corriente del colector (Id): 8 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C

Para obtener más información, consulte la ficha técnica del componente en el sitio web oficial del fabricante.

SKU: GRM-IRF8513-N Categoría: Etiquetas: , , , ,
Descripción

MOSFET: el componente electrónico más común

[titolo] - Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Existen dos tipos principales de MOSFET: MOSFET de agotamientoEl canal de conducción está presente incluso en ausencia de voltaje en la compuerta. Cuando se aplica un voltaje a la compuerta, el canal se estrecha, reduciendo el flujo de corriente. MOSFET de mejoraEl canal de conducción está ausente en ausencia de voltaje en la compuerta. Cuando se aplica un voltaje a la compuerta, se forma el canal, permitiendo el flujo de corriente.

Los MOSFET se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyen: circuitos integrados digitales tales como las compuertas AND, OR y NOT, Circuitos integrados analógicos, Dispositivos de potencia para controlar el suministro de energía de dispositivos de alta potencia, como motores y transformadores, dispositivos móviles Se utiliza en los circuitos de alimentación y comunicación de dispositivos móviles, como teléfonos inteligentes y tabletas.

Los MOSFET son componentes electrónicos esenciales que han contribuido al desarrollo de una amplia gama de dispositivos. Ofrecen una serie de ventajas, entre las que se incluyen: Alta eficiencia, Alta velocidad, Tamaño pequeño. Estas ventajas han convertido a los MOSFET en los componentes electrónicos más utilizados en el mundo.

Información adicional
Peso 0,200 kg
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