El componente IRFBC30AS TO-252 es un transistor de unión bipolar (BJT) de potencia NPN, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia.
El Especificaciones técnicas del transistor IRFBC30AS TO-252 son los siguientes:
Tipo: BJT NPN
Tensión colector-emisor (VCEO): 60 V
Corriente de colector (IC): 75A
Ganancia de corriente base-colector (hFE): 1000
Voltaje base-emisor (VBE): 0,7 V
Temperatura máxima de funcionamiento: 150°C
[título] - El transistor es un componente electrónico compuesto por tres terminales (tripolo) llamados base, colector y emisor.
Esto se puede utilizar como interruptor o como amplificador.
- Como interruptor, el transistor permite o impide el flujo de corriente en un circuito.
- Como amplificador, el transistor aumenta la potencia de una señal eléctrica.
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