MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8
El MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8 es un transistor de efecto de campo de conducción de tipo P (requiere un voltaje negativo para activarse). Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificación de señal y conmutación. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): -2,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,02 ohmios
Corriente del colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la ficha técnica del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Amplificador operacional