The component 5503DM TO-252 è It is a power NPN bipolar junction transistor (BJT), designed for high-power switching applications.
Le Technical specifications del transistor 5503DM TO-252 sono le seguenti:
Type: BJT NPN
Collector-emitter voltage (VCEO): 60V
Collector Current (IC): 50A
Base-collector current gain (hFE): 100
Base-emitter voltage (VBE): 0.7V
Maximum operating temperature: 150°C
[titolo] - Il transistor è un componente elettronico composto da tre terminali (tripolo) detti base, collettore ed emettitore.
Questo può essere utilizzato come un interruttore o come un amplificatore.
- Come interruttore, il transistor permette o impedisce il passaggio della corrente in un circuito.
- Come amplificatore, il transistor aumenta la potenza di un segnale elettrico.
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