Leistungs-MOSFET FDS8858CZ SO-8
Die Macht MOSFET FDS8858CZ SO-8 Es handelt sich um einen Dual-MOSFET mit zwei Kanälen, einem N- und einem P-Kanal. Dadurch eignet er sich für Anwendungen, die das Schalten zweier unabhängiger Lasten erfordern. Beispielsweise kann er zur Ansteuerung von zwei Motoren oder zwei LEDs verwendet werden. Seine wichtigsten Spezifikationen sind:
Sättigungsspannung (Vth): 1,5 V
Sättigungswiderstand (Rds(on)0,02 Ohm
Kollektorstrom (Id): 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 30 V
Maximale Betriebstemperatur (Tj): 150 °C
Weitere Informationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt der Komponente auf der offiziellen Website des Herstellers.
Leistungs-MOSFET IRF8513 SO-8
Der IRF8513 SO-8 Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor. Dieser MOSFET eignet sich für Anwendungen mit mittleren Strömen, wie beispielsweise das Schalten von ohmschen Lasten. Seine wichtigsten Spezifikationen sind:
Sättigungsspannung (Vth): 2,35 V
Sättigungswiderstand (Rds(on)0,0155 Ohm
Kollektorstrom (Id): 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 30 V
Maximale Betriebstemperatur (Tj): 175 °C
Weitere Informationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt der Komponente auf der offiziellen Website des Herstellers.
Leistungs-MOSFET IRF9910 SO-8
Der Leistungs-MOSFET IRF9910 SO-8 Es handelt sich um einen N-Kanal-Feldeffekttransistor. Dieser MOSFET eignet sich für Anwendungen mit hohen Strömen und hohen Leistungen, wie beispielsweise das Schalten induktiver Lasten. Seine wichtigsten Spezifikationen sind:
Sättigungsspannung (Vth): 2,55 V
Sättigungswiderstand (Rds(on)0,0134 Ohm
Kollektorstrom (Id): 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 20 V
Maximale Betriebstemperatur (Tj): 150 °C
Weitere Informationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt der Komponente auf der offiziellen Website des Herstellers.
Leistungs-MOSFET TPC8125 SOIC-8
Der TPC8125 SOIC-8 Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Feldeffekttransistor (benötigt eine negative Spannung zum Aktivieren). Dieser MOSFET eignet sich für Niederspannungsanwendungen wie Signalverstärkung und Schaltung. Seine wichtigsten Spezifikationen sind:
Sättigungsspannung (Vth): -2,5 V
Sättigungswiderstand (Rds(on)0,02 Ohm
Kollektorstrom (Id): 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 30 V
Maximale Betriebstemperatur (Tj): 150 °C
Weitere Informationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt der Komponente auf der offiziellen Website des Herstellers.
Operationsverstärker