PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
Moduł zasilania MOSFET do Fiata Scudo
MOSFET BUK9540-100A TO-252
BUK9540-100A TO-252 to wysokowydajny tranzystor MOSFET mocy, odpowiedni do zastosowań wymagających wysokiego prądu i wysokiej sprawności. Specyfikacja BUK9540-100A TO-252 jest następująca:
Typ: MOSFET z kanałem N
Napięcie nasycenia: 40 V
Prąd nasycony: 100A
Rezystancja drenaż-źródło: 0,006 omów
Pojemność wejściowa: 1,6 pF
Wydajność wyjściowa: 30 pF
Temperatura pracy: -55°C ~ +150°C
Pakiet: TO-252 Ponadto BUK9540-100A TO-252 charakteryzuje się następującymi cechami:
Przełączanie napięcia bramka-źródło: 10 V
Czas wspinaczki: 25 ns
Czas zejścia: 25 ns
Rezystancja bramki: 10 omów
Przepustowość bramy: 200 pF
MOSFET BUK9E06 TO-262
Ten BUK9E06 TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,06 omów
Prąd kolektora (Id): 75 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 55 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
MOSFET IR2171S 8SOIC
MOSFET IRF2804L TO-262
Ten IRF2804L TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,5 - 3 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,1 oma
Prąd kolektora (Id): 82 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 75 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
MOSFET IRF3710STRL TO-252
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Moc MOSFET FDS8858CZ SO-8 Jest to podwójny MOSFET, co oznacza, że ma dwa kanały: jeden N i jeden P. Dzięki temu nadaje się do zastosowań wymagających przełączania dwóch niezależnych obciążeń. Na przykład, może być używany do sterowania dwoma silnikami lub dwiema diodami LED. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IR2301SPBF SO-8
Ten IR2301SPBF SO-8 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui è necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 4,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,008 ohm
Prąd kolektora (Id): 100 A
Vds: 60 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF1324PBF TO-220
Tranzystor MOSFET IRF3205 TO-220
