Tranzystor MOSFET IRF9530 TO-220

Il Power Mosfet IRF9530 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire correnti elevate. È adatto per applicazioni come l’alimentazione, l’azionamento e il controllo.

Jego główne parametry techniczne to:

Napięcie nasycenia (Vth): 100 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,007 ohm
Prąd kolektora (Id): 14 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 1 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): -55°C a +150°C

Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.

MOSFET: najpopularniejszy element elektroniczny

Tranzystor MOSFET IRF9530 TO-220 - MOSFET, skrót od Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (tranzystor polowy z półprzewodnikiem i tlenkiem metalu), to unipolarny element elektroniczny regulujący przepływ prądu w obwodzie. Jest to najpowszechniej stosowany element elektroniczny na świecie, stosowany w szerokiej gamie urządzeń, od układów scalonych po urządzenia mobilne.

Istnieją dwa główne typy tranzystorów MOSFET: Tranzystor MOSFET zubożony:Kanał przewodzenia jest obecny nawet przy braku napięcia na bramce. Po przyłożeniu napięcia do bramki kanał zwęża się, zmniejszając przepływ prądu. MOSFET wzmacniający:Kanał przewodzenia nie istnieje, gdy na bramce nie ma napięcia. Po przyłożeniu napięcia do bramki powstaje kanał, umożliwiający przepływ prądu.

Tranzystory MOSFET są wykorzystywane w szerokim zakresie zastosowań, w tym: Cyfrowe układy scalone takie jak bramki AND, OR i NOT, Układy scalone analogowe, Urządzenia zasilające do sterowania zasilaniem urządzeń dużej mocy, takich jak silniki i transformatory, urządzenia mobilne stosowany w obwodach zasilania i komunikacji urządzeń mobilnych, takich jak smartfony i tablety.

Tranzystory MOSFET to niezbędne elementy elektroniczne, które przyczyniły się do rozwoju szerokiej gamy urządzeń. Oferują szereg zalet, w tym: Wysoka wydajność, Wysoka prędkość, Mały rozmiar. Zalety te sprawiają, że tranzystory MOSFET stały się najpowszechniej stosowanymi podzespołami elektronicznymi na świecie.