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Power Mosfet IRF9520P TO-220
Power Mosfet IRF9520P TO-220 2,80 €
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Power Mosfet IRF630 TO-220
Power Mosfet IRF630 TO-220 3,80 €

Power Mosfet IRF820APBF TO-220

3,50 €

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Il Power Mosfet IRF820APBF TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire applicazioni di potenza bassa.

Le sue specifiche principali sono:

Tensione di saturazione (Vth): 4,5V
Resistenza di saturazione (Rds(on): 3 oh
Corrente di collettore (Id): 2,5A
Tensione di collettore-emettitore (Vce): 2,5V
Temperatura massima di esercizio (Tj): 175°C

Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

MOSFET: il componente elettronico più diffuso

Power Mosfet IRF820APBF TO-220 - Il MOSFET, acronimo di Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, è un componente elettronico unipolare che regola il flusso di corrente in un circuito. È il componente elettronico più diffuso al mondo, presente in una vasta gamma di dispositivi, dai circuiti integrati ai dispositivi mobili.

Esistono due tipi principali di MOSFET: MOSFET a svuotamento (Depletion MOSFET): il canale di conduzione è presente anche in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si restringe, riducendo il flusso di corrente. MOSFET ad arricchimento (Enhancement MOSFET): il canale di conduzione è assente in assenza di tensione al gate. Quando viene applicata una tensione al gate, il canale si forma, permettendo il flusso di corrente.

I MOSFET vengono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui: Circuiti integrati digitali come porte AND, OR e NOT, Circuiti integrati analogici, Dispositivi di potenza per controllare l'alimentazione di dispositivi ad alta potenza, come motori e trasformatori, dispositivi mobili utilizzati nei circuiti di alimentazione e di comunicazione di dispositivi mobili, come smartphone e tablet.

I MOSFET sono componenti elettronici fondamentali che hanno contribuito allo sviluppo di una vasta gamma di dispositivi. Sono caratterizzati da una serie di vantaggi, tra cui: Alta efficienza, Alta velocità, Piccole dimensioni. Questi vantaggi hanno reso i MOSFET i componenti elettronici più diffusi al mondo.
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Power Mosfet IRL2505PBF TO-220

4,30 €
Il Power Mosfet IRL2505PBF TO-220 è un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di tipo N, progettato per applicazioni
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Mosfet BUK9E06 TO-262

5,60 €
Il BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,06 ohm Corrente di collettore (Id): 75 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 55 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Mosfet IRF2804L TO-262

6,90 €
Il IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 - 3 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,1 ohm Corrente di collettore (Id): 82 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 75 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Power Mosfet P60ZB TO-220

3,90 €
Il Power Mosfet P60ZB TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet STP80N6F6 TO-220

4,90 €
Il Power Mosfet RFP70N06 TO-220 È un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet IRF630 TO-220

3,80 €
Il Power Mosfet IRF630 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di
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Power Mosfet N-Channel IRL2203NS TO-263

6,70 €
Il IRL2203NS TO-263 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 116 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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Power Mosfet FDS8858CZ SO-8

2,60 €
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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