Tranzystor MOSFET mocy IRF8513 SO-8 to przewodzący tranzystor polowy typu N. Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań średnioprądowych, takich jak przełączanie obciążeń rezystancyjnych. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,35 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,0155 omów
Prąd kolektora (Id): 8 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.