PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
Tranzystor Darlingtona BDX33C TO-220
Tranzystor Darlingtona BDX54C TO-220
Tranzystor Darlingtona BDW93CF TO-220F
Tranzystor Darlingtona BDW94C TO-220
Moduł zasilania MOSFET do Fiata Scudo
MOSFET BUK9E06 TO-262
Ten BUK9E06 TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,06 omów
Prąd kolektora (Id): 75 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 55 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
MOSFET IRF2804L TO-262
Ten IRF2804L TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,5 - 3 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,1 oma
Prąd kolektora (Id): 82 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 75 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Moc MOSFET FDS8858CZ SO-8 Jest to podwójny MOSFET, co oznacza, że ma dwa kanały: jeden N i jeden P. Dzięki temu nadaje się do zastosowań wymagających przełączania dwóch niezależnych obciążeń. Na przykład, może być używany do sterowania dwoma silnikami lub dwiema diodami LED. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IR2301SPBF SO-8
Ten IR2301SPBF SO-8 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui è necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 4,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,008 ohm
Prąd kolektora (Id): 100 A
Vds: 60 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF1324PBF TO-220
