PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
Tranzystor Darlingtona BDX33C TO-220
Tranzystor Darlingtona BDX54C TO-220
Tranzystor Darlingtona BDW93CF TO-220F
Tranzystor Darlingtona BDW94C TO-220
Moduł zasilania MOSFET do Fiata Scudo
MOSFET BUK9E06 TO-262
Ten BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 2 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,06 ohm
Prąd kolektora (Id): 75 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 55 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
MOSFET IRF2804L TO-262
Ten IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,5 - 3 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,1 ohm
Prąd kolektora (Id): 82 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 75 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C
Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET 2SK3069 TO-220
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IR2301SPBF SO-8
Ten IR2301SPBF SO-8 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N con driver integrato. Il driver integrato consente al MOSFET di essere controllato da un segnale logico a bassa tensione. Questo lo rende particolarmente adatto per applicazioni in cui è necessario controllare un MOSFET da un microcontrollore o da un altro dispositivo logico.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 4,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,008 ohm
Prąd kolektora (Id): 100 A
Vds: 60 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF1324PBF TO-220
