PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Moc MOSFET FDS8858CZ SO-8 Jest to podwójny MOSFET, co oznacza, że ma dwa kanały: jeden N i jeden P. Dzięki temu nadaje się do zastosowań wymagających przełączania dwóch niezależnych obciążeń. Na przykład, może być używany do sterowania dwoma silnikami lub dwiema diodami LED. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF8513 SO-8
Tranzystor MOSFET mocy IRF8513 SO-8 to przewodzący tranzystor polowy typu N. Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań średnioprądowych, takich jak przełączanie obciążeń rezystancyjnych. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,35 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,0155 omów
Prąd kolektora (Id): 8 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF9910 SO-8
Ten Tranzystor MOSFET IRF9910 SO-8 Jest to przewodzący tranzystor polowy typu N. Ten MOSFET nadaje się do zastosowań wysokoprądowych i wysokomocowych, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,55 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,0134 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 20 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET TPC8125 SOIC-8
Tranzystor MOSFET mocy TPC8125 SOIC-8 to tranzystor polowy typu P z przewodnictwem (do aktywacji wymaga napięcia ujemnego). Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań niskonapięciowych, takich jak wzmacnianie sygnałów i przełączanie. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): -2,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
