PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED.
Le sue specifiche principali sono:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF8513 SO-8
Tranzystor MOSFET mocy IRF8513 SO-8 to przewodzący tranzystor polowy typu N. Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań średnioprądowych, takich jak przełączanie obciążeń rezystancyjnych. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,35 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,0155 omów
Prąd kolektora (Id): 8 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF9910 SO-8
Ten Tranzystor MOSFET IRF9910 SO-8 Jest to przewodzący tranzystor polowy typu N. Ten MOSFET nadaje się do zastosowań wysokoprądowych i wysokomocowych, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,55 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,0134 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 20 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET TPC8125 SOIC-8
Tranzystor MOSFET mocy TPC8125 SOIC-8 to tranzystor polowy typu P z przewodnictwem (do aktywacji wymaga napięcia ujemnego). Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań niskonapięciowych, takich jak wzmacnianie sygnałów i przełączanie. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): -2,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
