Tranzystor MOSFET STS4NF100 SO-8

Tranzystor MOSFET STS4NF100 SO-8 to przewodzący tranzystor polowy typu N o niższym prądzie kolektora, wynoszącym 100 A, co czyni go bardziej odpowiednim do zastosowań średnioprądowych. Jego główne parametry techniczne to: Napięcie nasycenia (Vth): 2,5 V Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma Prąd kolektora (Id): 100 A Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.

Tranzystor MOSFET TPC8125 SOIC-8

Tranzystor MOSFET mocy TPC8125 SOIC-8 to tranzystor polowy typu P z przewodnictwem (do aktywacji wymaga napięcia ujemnego). Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań niskonapięciowych, takich jak wzmacnianie sygnałów i przełączanie. Jego główne parametry techniczne to: Napięcie nasycenia (Vth): -2,5 V Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma Prąd kolektora (Id): 10 A Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.

Tranzystor MOSFET VNP10N07 TO-220

4,80 
Tranzystor MOSFET mocy VNP10N07 TO-220 to tranzystor polowy typu N wykonany w półprzewodniku, który może