PL 
IT 
EN 
ES 
FR 
DE 
NL 
MOSFET BUK9E06 TO-262
Ten BUK9E06 TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,06 omów
Prąd kolektora (Id): 75 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 55 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
MOSFET IRF2804L TO-262
Ten IRF2804L TO-262 Jest to tranzystor polowy MOSFET typu N. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 2,5 - 3 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,1 oma
Prąd kolektora (Id): 82 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 75 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 175 °C Ten MOSFET nadaje się do zastosowań o dużym natężeniu prądu, takich jak przełączanie obciążeń indukcyjnych.
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET FDS8858CZ SO-8
Moc MOSFET FDS8858CZ SO-8 Jest to podwójny MOSFET, co oznacza, że ma dwa kanały: jeden N i jeden P. Dzięki temu nadaje się do zastosowań wymagających przełączania dwóch niezależnych obciążeń. Na przykład, może być używany do sterowania dwoma silnikami lub dwiema diodami LED. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): 1,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.
Tranzystor MOSFET IRF1324PBF TO-220
Tranzystor MOSFET IRF3205 TO-220
Tranzystor MOSFET IRF3710Z TO-220
Tranzystor MOSFET IRF530N TO-220
Tranzystor MOSFET IRF620P TO-220
Tranzystor MOSFET IRF630 TO-220
