NL 
IT 
EN 
ES 
FR 
PL 
DE 
Vermogen Mosfet IRF9910 SO-8
De Vermogen Mosfet IRF9910 SO-8 Het is een N-type geleidende veldeffecttransistor. Deze MOSFET is geschikt voor toepassingen met hoge stromen en hoge vermogens, zoals het schakelen van inductieve belastingen. De belangrijkste specificaties zijn:
Verzadigingsspanning (Vth): 2,55 V
Verzadigingsweerstand (Rds(on): 0,0134 ohm
Collectorstroom (Id): 10 A
Collector-emitterspanning (Vce): 20 V
Maximale bedrijfstemperatuur (Tj): 150°C
Voor meer informatie kunt u het componentgegevensblad op de officiële website van de fabrikant raadplegen.
Vermogens-Mosfet IRL2203N TO-220
Vermogens-Mosfet IRL2505PBF TO-220
Power Mosfet N-kanaal IRL2203NS TO-263
De IRL2203NS TO-263 Het is een N-type geleidende veldeffect-MOSFET. De belangrijkste specificaties zijn:
Verzadigingsspanning (Vth): 2,5 V
Verzadigingsweerstand (Rds(on): 0,02 ohm
Collectorstroom (Id): 116 A
Collector-emitterspanning (Vce): 30 V
Maximale bedrijfstemperatuur (Tj): 175 °C Deze MOSFET is geschikt voor toepassingen met hoge stromen, zoals het schakelen van inductieve belastingen.
Voor meer informatie kunt u het componentgegevensblad op de officiële website van de fabrikant raadplegen.
Vermogen Mosfet RFP70N06 TO-220
Vermogen Mosfet STP75NS04Z TO-220
Vermogen Mosfet STS4NF100 SO-8
De STS4NF100 SO-8 Power MOSFET is een N-type geleidende veldeffecttransistor met een lagere collectorstroom van 100 A, waardoor hij geschikter is voor toepassingen met gemiddelde stroomsterkte. De belangrijkste specificaties zijn:
Verzadigingsspanning (Vth): 2,5 V
Verzadigingsweerstand (Rds(on): 0,02 ohm
Collectorstroom (Id): 100 A
Collector-emitterspanning (Vce): 30 V
Maximale bedrijfstemperatuur (Tj): 150°C
Voor meer informatie kunt u het componentgegevensblad op de officiële website van de fabrikant raadplegen.
