Il componente BTS2140-1B TO-252 è un transistor bipolare a giunzione (BJT) di potenza di tipo NPN, progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza.
Le specifiche tecniche del transistor BTS2140-1B TO-252 sono le seguenti:
Tipo: BJT NPN
Tensione di collettore-emettitore (VCEO): 60V
Corrente di collettore (IC): 25A
Guadagno di corrente di base-collettore (hFE): 200
Tensione di base-emettitore (VBE): 0,7 V
Temperatura massima di esercizio: 150 °C
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