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MOSFET de puissance IRF9530 TO-220

2,80 €
Le Mosfet de puissance IRF644 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de gérer
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Mosfet de puissance IRF9910 SO-8

Le Mosfet de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé et à haute puissance, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,55 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0134 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance IRF9Z34N TO-220

4,80 €
Le Mosfet de puissance IRF9Z34N TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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Mosfet de puissance IRL2203N TO-220

4,30 €
Le Power Mosfet IRL2203N TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N, conçu pour les applications
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Épuisé
À VENIR

Mosfet de puissance IRL2505PBF TO-220

4,30 €
Le Mosfet de puissance IRL2505PBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N, conçu pour les applications
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MOSFET de puissance canal N IRL2203NS TO-263

6,70 €
Le IRL2203NS TO-263 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 116 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance P60ZB TO-220

3,90 €
Le Power Mosfet P60ZB TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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Mosfet de puissance RFP70N06 TO-220

4,30 €
Le Power Mosfet RFP70N06 TO-220 est un transistor à effet de champ à conduction latérale (LDMOS) avec une zone de grille
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Mosfet de puissance STP75NS04Z TO-220

7,80 €
Le Mosfet de puissance STP75NS04Z TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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Mosfet de puissance STP80N6F6 TO-220

4,90 €
Le Power Mosfet RFP70N06 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8

Le Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N et possède un courant de collecteur inférieur de 100 A, ce qui le rend plus adapté aux applications à courant moyen. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance TPC8125 SOIC-8

Le Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessite une tension négative pour être activé). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : -2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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