Affichage des résultats 121–132 sur 268

Mosfet de puissance IR2301SPBF SO-8

Le IR2301SPBF SO-8 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ conducteur de type N avec pilote intégré. Le pilote intégré permet de contrôler le MOSFET par un signal logique basse tension. Cela le rend particulièrement adapté aux applications où un MOSFET doit être contrôlé par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 4,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,008 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Vds: 60 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

MOSFET de puissance IRF1324PBF TO-220

5,80 
Le Mosfet de puissance IRF1324PBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3205 TO-220

2,95 
Le Power Mosfet IRF3205 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3710Z TO-220

3,15 
Le Mosfet de puissance IRF3710Z TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF530N TO-220

2,30 
Le Power Mosfet IRF530N TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF620P TO-220

2,30 
Le Mosfet de puissance IRF620P TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF630 TO-220

3,80 
Le Power Mosfet IRF630 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF644 TO-220

4,20 
Le Mosfet de puissance IRF644 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de gérer

MOSFET de puissance IRF740A TO-220

5,30 
Le Mosfet de puissance IRF740A TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF820APBF TO-220

3,50 
Le Mosfet de puissance IRF820APBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF8513 SO-8

Le Power Mosfet IRF8513 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant moyen, telles que la commutation de charges résistives. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,35 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0155 ohm Courant collecteur (Id) : 8 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

Mosfet de puissance IRF9520P TO-220

2,80 
Le Power Mosfet IRF9520P TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type P capable de