MOSFET de puissance FDS8858CZ SO-8
Le pouvoir MOSFET FDS8858CZ SO-8 Il s'agit d'un MOSFET double, c'est-à-dire qu'il possède deux canaux, un N et un P. Cela le rend adapté aux applications nécessitant la commutation de deux charges indépendantes. Par exemple, il peut être utilisé pour commander deux moteurs ou deux LED. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 1,5 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,02 ohms
Courant du collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.
MOSFET de puissance IRF8513 SO-8
Le MOSFET de puissance IRF8513 SO-8 est un transistor à effet de champ conducteur de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant moyen, telles que la commutation de charges résistives. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,35 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,0155 ohms
Courant du collecteur (Id) : 8 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.
MOSFET de puissance IRF9910 SO-8
Le MOSFET de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ conducteur de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant et puissance élevés, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,55 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,0134 ohms
Courant du collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.
MOSFET de puissance TPC8125 SOIC-8
Le MOSFET de puissance TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessitant une tension négative pour son activation). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : -2,5 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,02 ohms
Courant du collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.
Amplificateur opérationnel