MOSFET de puissance IRF9910 SO-8
Le MOSFET de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ conducteur de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant et puissance élevés, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,55 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,0134 ohms
Courant du collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.
Amplificateur opérationnel