Le MOSFET de puissance IRF8513 SO-8 est un transistor à effet de champ conducteur de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant moyen, telles que la commutation de charges résistives. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,35 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,0155 ohms
Courant du collecteur (Id) : 8 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.