Le IR2301SPBF SO-8 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ de type N conducteur avec circuit de commande intégré. Ce circuit permet de piloter le MOSFET à l'aide d'un signal logique basse tension. Il est donc particulièrement adapté aux applications où un MOSFET doit être piloté par un microcontrôleur ou un autre dispositif logique. Ses principales caractéristiques sont :
Tension de saturation (Vth) : 4,5 V
Résistance à saturation (Rds(on): 0,008 ohms
Courant du collecteur (Id) : 100 A
Vds : 60 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site web officiel du fabricant.